BiCMOS是继CMOS后的新一代高性能VLSI工艺。以
CMOS工艺为基础,增加少量的
工艺步骤而成。
CMOS以低功耗、高密度成为80年VLSI的主流工艺。随着尺寸的逐步缩小,电路性能不断得到提高,但是当尺寸降到1um以下时,由于载流子速度饱和等原因,它的潜力受到很大的限制。把CMOS和Bipolar集成在同一芯片上,发挥各自的优势,克服缺点,可以使
电路达到高速度、低功耗。Bi
CMOS工艺一般以CMOS工艺为基础,增加少量的工艺步骤而成。
BiCMOS(Bipolar CMOS)是CMOS和双极器件同时集成在同一块芯片上的技术,其基本思想是以CMOS器件为主要单元电路,而在要求驱动大电容负载之处加入双极器件或电路。因此Bi
CMOS电路既具有CMOS电路高集成度、低功耗的优点,又获得了双极电路高速、强电流驱动能力的优势。