它取消了
主板与内存两个
存储周期之间的时间间隔，每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据，大大地缩短了
存取时间，使
存取速度提高30%，达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM
内存条，以及采用EDO
内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾
计算机系统中，它有72线和168线之分，采用5V工作电压，总线宽度32 bit，必须两条或四条成对使用，可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰，只能在某些老爷机上见到。
EDO DRAM与更古老的 FPM DRAM数据读取完毕才会进行下一个数据的读取的方式有很大的差异。EDO DRAM可以在输出数据的同时进行下一个列地址选通,我们依然结合下面的EDO读取时序图来了解EDO DRAM读取数据的过程：
1、RAS在结束上一次的读取操作之后，进入预充电状态，当接到读取数据的请求之后，行地址首先通过地址总线传输到地址引脚，在这个期间CAS依然处于预充电状态。 2、/RAS引脚被激活，列地址开始经过行地址选通电路和行地址解码器进行行地址的选择，就在这个同时tRAC周期开始，因为是读取操作/WE引脚一直没有被激活，所以内存知道自己进行的是读取操作而不是写操作。
3、在CAS依然进行预充电的过程中，列地址被送到列地址选通电路选择出来合适的地址，当/CAS被激活的同时tCAC周期开始，当tCAC结束的时候，需要读取的数据将会通过数据引脚传输到数据总线。
4、从开始输出第一组数据的时候，我们就可以体会到EDO同FPM之间的区别了：在tCAC周期结束之前，CAS失活并且开始了预充电，第二组列地址传输和选通也随即开始，第一数据还没有输出完毕之前，下一组数据的tCAC周期就开始了－－显然这样进一步的节省了时间。就在第二组数据输出前，CAS再次失活为第三组数据传输列地址做起了准备……