低压差线性稳压器是新一代的集成电路稳压器，它与三端稳压器最大的不同点在于，低压差线性稳压器（ldo）是一个自耗很低的微型片上系统（soc）。它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。pg是新一代ldo，具各输出状态自检、延迟安全供电功能，也可称之为power good，即“电源好或电源稳定”。 低压差线性稳压器通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比(psrr，powersupplyrejectionratio)。

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同，区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下，功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态，因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压，稳压器就能运作，稳定输出电压。

这类设计在保持稳定性方设计难度较高，因为输出级的阻抗较大，较易不稳定或起振。

低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。

双极性晶体管因为基极电流的关系，会耗用额外的电流，增加功耗，在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。

场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题，但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用，而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步，这两方面的问题都得以改善。

低压差稳压器样重要的参数有压降电压、压差(Dropout voltage)、静态耗电电流、静态电流(quiescent current)、负载调节( Load Regulation )，线性调节(Line Regulation)，最大输出电流，速度，瞬态响应(Transient response)…等。个别低压差稳压器会标明电源抑制比(PSRR)，输出噪声(Output noise)。