LOCOS_硅工艺中的器件隔离技术

LOCOS

硅工艺中的器件隔离技术

硅局部氧化隔离（Local Oxidation of Silicon）技术，是由Appels和Kooi于1970年提出的一种CMOS硅工艺中常用的器件隔离技术。

术语简介

即“硅的局部氧化”技术（Local Oxidation of Silicon）

- CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。

-常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应”bird beak）和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺受到很大的限制。

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最新修订时间：2024-01-14 10:37

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