MIS
金属绝缘层半导体结构
MIS结构，即Metal-Insulator-Semiconductor（金属-绝缘层-半导体）结构
理想情况下，MIS结构满足：
1. 金属与半导体之间功函数差为零。即金属与半导体之间无电压，也就是说不会对绝缘层加压
2. 绝缘层内没有电荷存在，完全不导电
3. 绝缘层与半导体之间的界面处不存在任何界面态
工艺上需要通过直接金属硅化物接触或金属-绝缘层-半导体接触来实现降低接触电阻率。
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最新修订时间：2023-11-07 19:47
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