以P沟道MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称PMOS。，衬底是N型硅片,栅为金属铝。两个邻近的P型扩散区和跨于两扩散区的铝栅,连同衬底构成一个P沟道MOS晶体管，铝栅PMOS电路中各元件之间，可用与铝栅同时形成的铝线或与源、漏区同时形成的扩散线进行连接。

释义

见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路。