ReRAM是日本富士通的川崎实验室研制的电阻式记忆体。

日本富士通的川崎实验室透露,他们研发出了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体),能提供更低的功耗.

包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少,相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值,这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命.

新的技术可以更快地完成存取,5毫秒内存取10000次.

这种ReRAM未来可以替代FlashRAM,并且成本较低,表现也非常突出.

日本Elpida公司,夏普公司和东京大学于2010年10月宣布共同开发次世代的ReRAM存储器,并希望在2013年量产实用化。

这种新型的存储器消费电流更低,比现有的手机采用的NAND型存储速度快约1万倍。实用化后，将提高手机下载高画质动画速度，并且消耗更低的电量，从而可以延长手机的使用时间。

ReRAM由夏普公司研究材料技术和制造方法，Elpida公司提供存储器的加工组合技术，东京大学等学术研究机构提供技术上的支持。

基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件：电阻器、电容器和电感器；电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁通量。任教于加州大学伯克利分校，并且是新竹交通大学电子工程系荣誉教授的蔡少堂（Leon Chua），37年前就预测有第四个元件的存在，即忆阻器（memristor），实际上就是一个有记忆功能的非线性电阻器。

惠普公司实验室的研究人员最近证明忆阻器的确存在，研究论文在5月1日的《自然》期刊上发表。加州大学伯克利分校电机工程和计算机科学系教授蔡少棠，1971年发表《忆阻器：下落不明的电路元件》论文，提供了忆阻器的原始理论架构，推测电路有天然的记忆能力，即使电力中断亦然。惠普实验室的论文则以《寻获下落不明的忆阻器》为标题，呼应前人的主张。蔡少棠接受电话访问时表示，当年他提出论文后，数十年来不曾继续钻研，所以当惠普实验室人员几个月前和他联系时，他吃了一惊。

忆阻器可使手机将来使用数周或更久而不需充电；使个人电脑开机后立即启动；笔记型电脑在电池耗尽之后很久仍记忆上次使用的信息。忆阻器也将挑战掌上电子装置普遍使用的闪存，因为它具有关闭电源后仍记忆数据的能力。利用惠普公司这项新发现制成的晶片，将比今日的闪存更快记忆信息，消耗更少电力，占用更少空间。忆阻器跟人脑运作方式颇为类似，惠普说或许有天，电脑系统能利用忆阻器，像人类那样将某种模式（patterns）记忆与关联。