二氧化铪
化学物质
二氧化铪是一种
无机物
,化学式为HfO2,是铪元素的一种
氧化物
,常温常压下为白色固体,难溶于水,不溶于
盐酸
和
硝酸
,可溶于
浓硫酸
和
氢氟酸
。
性质
白色粉末,有单斜、四方和立方三种
晶体结构
。密度分别为10.3,10.1和10.43g/cm3。
分子结构式:
密度:9.68g/cm3
熔点:2758℃
摩尔质量
:210.49 g/
mol
蒸发压力
:在2678℃时1Pa;在2875℃时10Pa
线膨胀系数
:5.6×10-6/K
溶解度
:不溶解于水
纯度:99.99
薄膜特性:透光范围~220~12000nm;
折射率
(250nm)~2.15 (500nm)~2
蒸发条件:用
电子枪
,
氧分压
~1~2×10-2Pa。
蒸发温度
~2600~2800℃,
基片
温度~250℃,
蒸发速率
2nm/s
应用领域
:
UV
增透膜
,干涉膜
熔点2780~2920℃。沸点5400℃。
热膨胀系数
5.8×10-6/℃。不溶于水、
盐酸
和
硝酸
,可溶于
浓硫酸
和
氟氢酸
。由
硫酸铪
、
氯氧化铪
等化合物
热分解
或水解制取。为生产金属铪和
铪合金
的原料。用作耐火材料、抗
放射性
涂料和催化剂。
应用
二氧化铪(HfO2)是一种具有宽带隙和高
介电常数
的
陶瓷材料
,近来在工业界特别是
微电子
领域被引起极度的关注,由于它最可能替代硅基集成电路的核心器件
金属氧化物半导体场效应管
(
MOSFET
)的栅极
绝缘层
二氧化硅
(SiO2),以解决MOSFET中传统SiO2/Si结构的发展的尺寸极限问题。
参考资料
最新修订时间:2023-03-02 08:32
条目作者
小编
资深百科编辑
目录
概述
性质
参考资料
Copyright©2024
闽ICP备2024072939号-1