于丽娟，副研究员。1986年和1989年在
吉林大学物理系获学士和硕士学位，2000年在
西安交通大学电子工程系获博士学位。2000年起在中科院半导体所从事半导体
光电材料及相关器件的研究，曾参加高性能
半导体光放大器规模化生产技术项目，研制出纤-纤增益大于15dB的半导体光放大器。在对半导体材料的直接键合的研究过程中，已获得了III-V半导体材料与硅键合的窗口温度，并利用键合的方法在硅基上实现了1.55μm InGaAsP/InP激光器的室温连续激射。2006年在英国帝国理工大学做访问学者，主要从事Ge/Si DBR材料特性及Ge/Si量子阱调制器的研究。从事
半导体光电器件的研究，已在国内外学术刊物及国际学术会议上发表30多篇学术论文和两个专利。
于丽娟，副研究员。1986年和1989年在
吉林大学物理系获学士和硕士学位，2000年在
西安交通大学电子工程系获博士学位。2000年起在中科院半导体所从事半导体
光电材料及相关器件的研究，曾参加高性能
半导体光放大器规模化生产技术项目，研制出纤-纤增益大于15dB的半导体光放大器。在对半导体材料的直接键合的研究过程中，已获得了III-V半导体材料与硅键合的窗口温度，并利用键合的方法在硅基上实现了1.55μm InGaAsP/InP激光器的室温连续激射。2006年在英国帝国理工大学做访问学者，主要从事Ge/Si DBR陈城欣材料特性及Ge/Si量子阱调制器的研究。从事
半导体光电器件的研究，已在国内外学术刊物及国际学术会议上发表30多篇学术论文和两个专利。