雪崩倍增效应：如果碰撞电离过程发生很频繁，不断产生出电子-空穴对，这是一系列相继的连锁过程，瞬间即可产生出大量的电子-空穴对——雪崩
倍增效应。这是导致材料和器件发生击穿的一种重要机理。
雪崩倍增效应的强弱用雪崩
倍增因子M来表示。对于p-n结，当输出电流与输入电流之比为无穷大（即M趋于无穷大）时即产生雪崩击穿；如果采用电子和空穴的电离率（在1cm路程上所产生的电子-空穴对的数目）来描述击穿的话，就是当电离率在势垒区中的积分等于1时即发生击穿。这些就是p-n结发生击穿的条件。但是存在倍增效应并不意味着一定会击穿。因为如果不满足击穿条件的话，就不会击穿。
发生倍增效应的基础或者先决条件是碰撞电离。半导体或绝缘体在高电场作用下，其中载流子将加速运动而获得能量（成为热载流子），当载流子能量（动能）大于禁带宽度（实际上应该大于1.5倍禁带宽度）、并与价键上的电子（即价带中的价电子）相碰撞时，就可以产生本征激发——产生出一个电子-空穴对，这就是碰撞电离作用。碰撞电离的强弱用电离率（或电离系数）α来表征，电离率就是一个载流子在强电场作用下，走过单位距离时所产生出来的电子-空穴对的数目。电离率与电场和禁带宽度密切有关：随着电场的增强而指数式增大，随着禁带宽度的增大而指数式减小。
倍增效应在实际中的应用很广泛。例如，
雪崩光电二极管，就是利用倍增效应来放大微弱光信号的。再如，IMPATT二极管，也是利用倍增效应来实现微波振荡与放大的。