减压外延_低于一个大气压下进行化学气相外延的方法

减压外延

低于一个大气压下进行化学气相外延的方法

减压外延是指在低于一个大气压下进行化学气相外延的方法。主要用于硅外延。

简介

减压外延是指在低于一个大气压下进行化学气相外延的方法。

适用范围

主要用于硅外延。

优点

此法可减少自掺杂效应、缩小过渡层厚度、改善外延层的厚度与电阻率的均匀性、减轻或排除埋层图形的漂移。

使用要求

根据衬底与外延层的掺杂种类与浓度，器件的要求，使用的压力一般在(1.3-26)×107Pa范围内。对设备有较高的要求，反应室与常压基本相同，使用高频或辐射加热，气路系统及相应的自动化系统以保持相应的压力，需排气量更大的真空系统。

应用

减压外延已用于超大规模集成电路用外延片的生产，并用于选择外延等特殊工艺。

参考资料

最新修订时间：2022-08-25 17:15

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概述

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优点

使用要求

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