包文中，复旦大学微电子学院研究员，博士生导师。
人物经历
教育背景
2006年09月-2011年11月加州大学河滨分校，物理系，博士
2002年09月-2006年06月南京大学，物理学，学士
学术经历
2015年07月-至今复旦大学，微电子学院，研究员，博士生导师
2011年11月-2015年06月马里兰大学，物理系和材料能源系，博士后
研究方向
1. 新型低维材料的基础物性研究；2. 晶圆级二维半导体的可控生长，在此基础上的器件工艺、电路设计及其在集成电路中的实际应用，包括逻辑，存储和射频等器件；3. 柔性电子学、印刷电子学和纸质电子学（器件工艺以及显示、生物医药和可穿戴设备中的应用）；4. 新能源材料和光伏电站智能运维、充储能技术。
2022年12月，媒体报道，据复旦大学微电子学院教授周鹏、研究员包文中及信息科学与工程学院研究员万景团队绕过 EUV 工艺，研发出性能优异的异质 CFET 技术。
团队建设
包文中研究员的课题组依托复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，组建了二维半导体专用工艺线，专注于推动二维半导体材料在工程实际应用的关键技术研究，包括晶圆级薄膜生长、分立器件工艺调控、器件建模和电路仿真。聚焦于二维IC（包括数模、存储、射频和感存算一体等电路）和红外探测器的应用出口。近年来，包文中的科研团队实现了一整套从材料生长、集成工艺优化，到器件模型、电路仿真，再到产品研发的先进材料产学融合的研究方法和流程。这套方法和流程，既可以应用于二维半导体，也能够通用于其他先进材料的“科研-工程-产业”贯穿式科研，并形成自主知识产权体系，为我国在新材料和新器件的国际竞争做出一定贡献。
发表论文
1. “Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning”
X. Chen, Y. Xie, Y. Sheng, H. Tang, Z. Wang, Y. Wang, Y. Wang, F. Liao, J. Ma, X. Guo, L. Tong, H. Liu, H. Liu, T. Wu, J. Cao, S. Bu, H. Shen, F. Bai, D. Huang, J. Deng, A. Riaud, Z. Xu, C. Wu, S. Xing, Y. Lu, S. Ma, Z. Sun, Z. Xue, Z. Di, X. Gong, W. Zhang, P. Zhou*, J. Wan*, W. Bao*
Nature Communications, 2021, 12(5953): 1-8.
2. “An artificial neural network chip based on two-dimensional semiconductor”
S. Ma, T. Wu, X. Chen, Y. Wang, H. Tang, Y. Yao, Y. Wang, Z. Zhu, J. Deng, J. Wan, Y. Lu, Z. Sun, Z. Xu, A. Riaud, C. Wu, W. Zhang, Y. Chai, P. Zhou*, J. Ren*, W. Bao*
Science Bulletin, 2022, 67(3): 270-277.
3. “An in-memory computing architecture based on two-dimensional semiconductors for multiply-accumulate operations”
Y. Wang, H. Tang, Y. Xie, X. Chen, S. Ma, Z. Sun, Q. Sun, L. Chen, H. Zhu, J. Wan, Z. Xu, W. Zhang, P. Zhou* & W. Bao*
Nature communications, 2021, 12(1), 3347.
4. “Controlled Doping of Wafer-Scale PtSe2 Films for Device Application”
H. Xu, H. Zhang, Y. Liu, S. Zhang, Y. Sun, Z. Guo, Y. Sheng, X. Wang, C. Luo, X. Wu, J. Wang, W. Hu, Z. Xu, Q. Sun, P. Zhou, J. Shi, Z. Sun, D. W. Zhang, W. Bao*
Advanced Functional Materials, 2019, 29(4), 1805614.
5. “Tuning two-dimensional nanomaterials by intercalation: materials, properties and applications”
J. Wan, S.D. Lacey, J. Dai, W. Bao*, M. Fuhrer*, L. Hu*
Chemical Society Reviews, 2016, 45 (24), 6742-6765.
6. “Flexible, High Temperature, Planar Lighting with Large Scale Printable Nanocarbon Paper”
W. Bao, A. D. Pickel, Q. Zhang, Y. Chen, Y. Yao, J. Wan, K. Fu, Y. Wang, J. Dai, H. Zhu, D. Drew M. Fuhrer, C. Dames, L. Hu
Advanced Materials, 2016, 28 (23).
7. “Lithium-Intercalated Few Layer Graphene: Approaching the Limits of Transparency and Conductivity in Graphene-based Materials”
W. Bao, J. Wan, X. Han, X. Cai, H. Zhu, D. Kim, Y. Xu, J. Munday, H. Drew, M. Fuhrer and L. Hu.
Nature Communications, 2014, 5, 4224.
8. “High Mobility Ambipolar MoS2 Field-Effect Transistors: Substrate and Dielectric Effects”
W. Bao, X. Cai, D. Kim, K. Sridhara, and M. S. Fuhrer
Applied Physics. Letters, 2013, 102, 042104.
9. “Evidence for a Spontaneous Gapped State in Ultra-Clean Bilayer Graphene”
W. Bao, J. Velasco Jr., F. Zhang, L. Jing, B. Standley, D. Smirnov, M. Bockrath, A. MacDonald and C. N. Lau.
Proc. Nat. Acad. Sci, 2012, 109, 10802.
10. “Stacking-Dependent Band Gap and Quantum Transport in Trilayer Graphene”
W. Bao, L. Jing, J. Velasco Jr., Y. Lee, G. Liu, D. Tran, B. Standley, M. Aykol, S. B. Cronin, D. Smirnov, M. Koshino, E. McCann, M. Bockrath, and C.N. Lau.
Nature Physics, 2011, 7, 948–952.
11. “Magnetoconductance Oscillations in High-Mobility Suspended Bilayer and Trilayer Graphene”
W. Bao, Z. Zhao, H. Zhang, G. Liu, P. Kratz, L. Jing, J. Velasco Jr., D. Smirnov, C. N. Lau.
Physical Review Letters, 2010, 105, 246601.
12. “Dimensional crossover of the phonon transport and Umklapp scattering in few-layer graphene”
S. Ghosh, W. Bao, D. L. Nika, S. Subrina, E. P. Pokatilov, C. N. Lau and A.A. Balandin.
Nature Materials, 2010, 9, 555–558.
13. “Controlled ripple texturing of suspended graphene and ultrathin graphite membranes”
W. Bao, F. Miao, Z. Chen, H. Zhang, W. Jang, C. Dames, C. N. Lau.
Nature Nanotechnology, 2009, 4, 562–566.
获奖荣誉
2016年，国际纯粹应用物理学会（IUPAP）青年科学家奖（C10）
2017年9月16日，获2017年度“求是杰出青年学者奖”。
2023年11月，入选“第十二届上海青年科技英才”。