双电子复合（Dielectron Recombination，简称DR)是各种等离子体中的基本过程之一，其复合截面以及复合速率系数是研究天体物理过程以及聚变等离子体的重要参数。

双电子复合（Dielectron Recombination，简称DR)是各种等离子体中的基本过程之一，其复合截面以及复合速率系数是研究天体物理过程以及聚变等离子体的重要参数。DR是共振的两步过程，在第一步中，自由电子被入射离子X俘获，同时将该离子内壳层的某个电子激发，形成一个双激发态，这个双电子过程通常叫做双电子俘获（Dielectron Capture）。在第二步中，这个处于双激发态的离子通过放出光子，衰变进入低于电离限的稳定态。其过程示意图如图1所示：因为包括两个电子，故称为双电子复合。

由于涉及到两个电子， 因此入射离子必须是非裸的。目前对于DR过程的实验研究，主要在电子冷却重离子储存环上进行。