在NAND Flash的制造过程中所产生故障区块，称为Early Bad Block。在使用的过程中，也会随着写入、抹除的操作次数增加，而逐渐产生故障区块，称为Latter Bad Block。

故障区块管理，是由控制IC来达成故障区块的管理机制，以侦测并标示NAND Flash中的故障区块，提升资料存取的可靠度。控制IC的故障区块管理机制，会在首次启动NAND Flash时，建立故障区块表(Bad Block Table)，也会将使用的过程中所发现的抹写错误记录在故障区块表，并将资料移植到新的有效区块中，避免资料流失。

磨损均衡是快闪存储器（NAND flash）上的一种抹平技术。快闪存储器的区块有抺写次数的限制，针对同一个单一区块，进行重复抺除、写入，将会造成读取速度变慢，甚至损坏而无法使用。磨损均衡目的在于平均使用快闪存储器中的每个储存区块，以避免某些“特定”储存区块因过度使用而形成坏区块。

磨损均衡算法通过将写入分配到闪存介质上的多个扇区，控制闪存介质扇区的不均匀“磨损”。磨损均衡算法集成在闪存盘控制器的固件内，通过建立闪存介质的逻辑扇区和物理扇区之间的文件分区表，使文件系统一目了然。原则上，磨损均衡算法能使闪存介质上的所有扇区几乎同时达到其耐久限制，从而延长闪存介质的使用寿命。通过使用老化机制，可警告用户何时达到耐久限制，从而提前进行内容备份，防止数据丢失。

磨损均衡的性能及寿命依赖算法及控制器的优劣，性能常会在经常多次写入及剩余容量很少时下降，有时可以借由牺牲寿命来增加性能、或以掉速为代价来确保可靠度。

快闪存储器（英语：flash memory），是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。

闪存的成本远较可以字节为单位写入的EEPROM来的低，也因此成为非易失性固态存储最重要也最广为采纳的技术。像是PDA、笔记本电脑、数字随身听、数码相机与手机上均可见到闪存。此外，闪存在游戏主机上的采用也日渐增加，藉以取代存储游戏数据用的EEPROM或带有电池的SRAM。

闪存是非易失性的存储器。这表示单就保存数据而言，它是不需要消耗电力的。与硬盘相比，闪存也有更佳的动态抗震性。这些特性正是闪存被移动设备广泛采用的原因。闪存还有一项特性：当它被制成储存卡时非常可靠──即使浸在水中也足以抵抗高压与极端的温度。闪存的写入速度往往明显慢于读取速度。

虽然闪存在技术上属于EEPROM，但是“EEPROM”这个字眼通常特指非快闪式、以小区块为清除单位的EEPROM。它们典型的清除单位是字节。因为老式的EEPROM抹除循环相当缓慢，相较之下快闪记体较大的抹除区块在写入大量数据时带给其显著的速度优势。

闪存又分为NOR与NAND两型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI和Toggle。手机上的闪存常常以eMMC的方式存在。