外延生长工艺，利用晶体界面上的二维结构相似性成核的原理，在一块单晶片上，沿着其原来的结晶轴方一向再生长一层晶格完整、且可以具有不同的杂质浓度和厚度的单晶层的工艺。

特性

外延生长工艺epitaxy growth technology外延有同质外延和异质外延之分，可以采用隔离性能优良的绝缘材料作外延衬底。外延层可以和原单晶片具有不同的导电类型，利用这一特性，可以通过外延生长来直接制备p-n结。外延生长法有气相外延、液相外延和分子束外延等。要求基质的晶面与薄膜的晶面很好地匹配，以保证得到均匀、稳定的单晶薄膜，并使膜在温度变化过程中不脱落。