在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3%，经减薄衬底，加强陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制备的转换效率约为12.6—17.3%。采用廉价衬底的p—Si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a-Si：H材料膜进行后退火，达到
低温固相晶化，可分别制出效率9.8%和9.2%的无退化电池。微晶硅薄膜生长与a—Si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视。目前a-Si薄膜与微晶硅薄膜构成的
叠层电池，小尺寸电池效率可达15%，组件的效率也可达到8%以上。通过进一步优化，如采用多层（三层或者三层以上）的叠层结构，可更充分利用太阳光谱，这将使硅基薄膜光电池性能产生突破性进展。铜铟硒光电池 CIS薄膜光电池己成为国际光伏界研究开发的热门课题，它具有转换效率高（已超过20%），性能稳定，制造成本低的特点。CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而
构成的，厚度只需2－3μrn，吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用。
现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜。阻碍其发展的原因是工艺重复性差，高效电池成品率低，材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器。CIS光电池正受到产业界重视，一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处地位，积极扩人开发规模，着手组建中试线及制造厂。
随着信息技术和太阳能产业的飞速发展，全球对多晶硅的需求增长迅猛，市场供不应求。2006年世界多晶硅产量3.7万吨，市场缺口约0.8万吨，近年来，全球太阳能电池产量快速增加，直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。
中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了产业化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。
进入21世纪以来，强大的需求和丰厚的利润刺激着多晶硅产业的迅速膨胀。多晶硅现货价7年内上涨了10倍，高峰时利润率超过800%。截至08年12月，已有超过10家上市公司投资多晶硅项目，已公告的投资额近60亿元，总投资额高达300多亿元。
2009年新春伊始，有两件事情令多晶硅-光伏产业振奋。首先是《能源法》已经提交到国务院法制办，这将直接影响“十二五”期间国家能源政策的整体规划。随后，无锡尚德、赛维LDK、常州天合、林洋新能源、CSI阿特斯、南京冠亚等在内的太阳能电池生产巨头们已将“1元/度”光伏发电成本的方案上交给科技部。这标志着光伏发电入网已经不再那么遥远，这两大利好无疑给予多晶硅-光伏企业一剂兴奋剂。