宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地是
西安电子科技大学建设的5个111计划学科创新引智基地之一（
智能信息处理科学与技术学科创新引智基地、
现代无线信息网络基础理论与技术学科创新引智基地、宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地、电子装备机电耦合理论与关键技术学科创新引智基地，移动互联网安全创新引智基地），依托
微电子学与固体电子学国家重点学科，以
国家集成电路人才培养基地、国家级集成电路实验教学示范中心、
宽带隙半导体技术国防重点实验室和
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室为平台。创新引智基地力争在理论研究上获得重大创新成果，在关键技术上取得重要突破，提升西电微电子学科在国际相关领域的水平和地位，努力将本引智基地建设成为西部地区微电子领域具有示范作用的人才培养、科学研究和国际学术交流的合作创新基地。可连续5年每年获得国家专项经费资助180万元人民币，用于聘请国外高端专业技术人才。
高等学校学科创新引智计划（
111计划）由
教育部和
国家外国专家局联合组织实施，总体目标是瞄准国际学科发展前沿，结合高校重点发展的学科领域，以国家重点学科为基础，以国家、省、部级重点科研基地为平台，从世界排名前100位的大学或研究机构的优势学科队伍中，引进、汇聚1000余名海外学术大师、学术骨干，配备一批国内优秀的科研骨干，形成高水平的研究队伍，建设100个左右世界一流的学科创新基地，努力创造具有国际影响的科研成果，提高高等学校的整体水平和国际地位。
西安电子科技大学5个国家学科创新引智基地的成功立项，对于引进国外高层次人才，加强国际合作与交流，发挥学校优势学科，开展强强合作，全面提升学校的科研实力，加速学校建设国内一流、国际知名的高水平研究型大学的步伐，均有重要的推动作用。
基地依托：
微电子学与固体电子学国家重点学科、
国家集成电路人才培养基地、国家级集成电路实验教学示范中心、宽带隙半导体技术国防重点实验室、
宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室。
宽禁带半导体与微纳电子学创新引智基地汇聚了以GaN为代表的在
宽禁带半导体材料与器件研究方面被誉为世界级大师的英国
剑桥大学Colin Humphreys教授为海外学术大师以及加拿大
麦克玛斯特大学M.Jamal Deen院士和美国
罗格斯大学Jianhui Zhang教授等学术专家，充分显示出我校优势特色学科强劲的科研水平和人才引进力度。