射频化学气相沉积是指用射频等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。原理是以两个平行的圆铝板作电极，通过电容耦合方式输入射频功率，反应气体由下电极中心孔输入，沿径向流动，在射频电场激励下放电，形成等离子体，并在位于下电极表面的基体上生成固态膜。在沉积中，基体与等离子体之间施加偏压，诱导沉积发生在基体上，偏压决定沉积速率，衬底偏压500V时，沉积速率为10nm/min。沉积装置有电容耦合和电感耦合两种。射频频率般为13.56MHz。电容耦合平行极RFCVD装置具有放电稳定和功率大的特点。可用绝缘材料作靶,镀制陶瓷和高分子材料绝缘膜。

射频化学气相沉积是指利用射频等离子体化学激活气相反应进行气相沉积的技术。

为了产生射频等离子体，必须对反应室加上射频电磁场，反应室压强保持在0.13Pa左右。

在射频电磁场的作用下，自由电子的运动引起反应物气体分子的电离，产生等离子体，由此降低化学反应的势垒，这就使得一些难以进行的化学反应变得容易进行。沉积生长时，衬底与等离子体之间加有偏压，诱导沉积发生在衬底之上。偏压决定了沉积速率，对于频率为1~10MHz，功率为200W的射频场，当衬底偏压为500V时，沉积速率为10nm/min左右。

射频化学气相沉积的特点是能用来沉积绝缘膜。

射频化学气相沉积的原理是以两个平行的圆铝板作电极，通过电容耦合方式输入射频功率，反应气体由下电极中心孔输入，沿径向流动，在射频电场激励下放电，形成等离子体，并在位于下电极表面的基体上生成固态膜。在沉积中，基体与等离子体之间施加偏压，诱导沉积发生在基体上，偏压决定沉积速率，衬底偏压500V时，沉积速率为10nm/min。沉积装置有电容耦合和电感耦合两种。射频频率般为13.56MHz。电容耦合平行极RFCVD装置具有放电稳定和功率大的特点。可用绝缘材料作靶，镀制陶瓷和高分子材料绝缘膜。