通常构成量子阱的二种材料的晶格常数要经过特殊选择调整，以保证它们之间的晶格匹配，避免在其交界面区产生大量的失配位错，影响界面带结构和电子的输运，它大大限制了量子阱结构材料选择的自由度。

应变量子阱就是利用晶格不匹配的两种材料，用单原子层外延技术生长在一起。由于材料物理特性的优化，使得半导体发光器件的性能得到革命性的巨大改善。

普通的半导体激光器虽有MW/cm2以上的很大功率密度输出，但由于有源区体积很小，其输出功率也只有几十毫瓦。超过10MW/cm2的功率密度，由于端面的劣化，激光器将受到破坏。因此长期以来半导体激光器只能在小功率水平下应用，被排斥在功率型激光器的门外。然而，量子阱材料特别是应变量子阱材料的应用，由于吸收带边向短波方向的蓝移，镜面内侧材料的本征吸收将大大降低，这就使得它可以承受更高的功率密度(达10MW/cm2以上)。