掺杂技术
将所需的杂质以定的方式掺入到半导体基片规定的区城内
掺杂技术(Doping Proces) 是将所需的杂质以定的方式掺入到半导体基片规定的区域内,井达到规定的数量和符合要求的分布,以达到改变材料电学性质、制造PN结、互连线的目的。
在微机械加工中,通过掺杂技术来实现自停止蚀刻及构造薄膜层。掺杂的方法有扩散法、离子注
入法及合金法等。
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最新修订时间:2024-07-05 18:07
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