掺杂程度（doping level）是指在无机半导体中，杂质原子取代主原子位置的过程。

而导电高聚物中常用的渗杂术语，其物理含义与传统的无机半导体中所常用的掺杂概念完全不同，具有如下的特点:（1）从化学角度讲掺杂的实质是氧化一还原过程;（2）从物理角度讲掺杂是离子嵌入的过程;（3）掺杂和脱掺杂是完全可逆的过程，导电高聚物脱掺杂后除去高电导率特性外，掺杂量大大超过无机半导体掺杂量的限度。所以，离子与导电高聚物进行氧化一还原反应的程度J为掺杂程度。