晶体管输出，这个是电路控制中的说法。在很多自动化设备中，电路最终都需要对一些执行部件（如电机、电磁铁）实施控制，电路对这些执行部件的控制可通过继电器、双向晶闸管、晶体管等开关器件进行，因此对于电路的输出端来说就有了与之对应的“继电器输出、双向晶闸管输出、晶体管输出”等类型。

特性

晶体三极管输出特性曲线（共发射极）

晶体三极管是由形成二个PN结的三部分半导体组成的，其组成形式有PNP型及NPN型。我国生产的锗三极管多为PNP型，硅三极管多为NPN型，它们的结构原理是相同的。

三极管有三个区、三个电极。其中基区（三极管中间的一层薄半导体）引出基极b；两侧有发射区引出发射极e及集电区引出集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。在电路符号上PNP型管发射极箭头向里，NPN型管发射极箭头向外，表示电流方向。

基极电流Ib一定时，晶体三极管的Ic和Uce之间的关系曲线叫做输出特性曲线。曲线以Ic（mA）为纵坐标，以Uce（V）为横坐标给出，图上的点表示了晶体管工作时Ib、Uce、Ic三者的关系，即决定了晶体三极管的工作状态。从曲线上可以看出，晶体管的工作状态可分成三个区域。饱和区：Uce很小，Ic很大。集电极和发射极饱和导通，好像被短路了一样。这时的Uce称作饱和压降。此时晶体管的发射结、集电结都处于正向偏置。放大区：在此区域中Ib的很小变化就可引起Ic的较大变化，晶体管工作在这一区域才有放大作用。在此区域Ic几乎不受Uce控制，曲线也较为平直，此时管子的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。截止区：Ib=0，Ic极小，集电极和发射极好像断路（称截止），管子的发射结、集电结都处于反向偏置。