本征吸收是指在价带和导带之间电子的跃迁产生与自由原子的线吸收谱相当的晶体吸收谱，它决定着半导体的光学性质.本征吸收最明显的特点是具有基本的吸收边（吸收系数陡峭增大的波长），也是半导体以及绝缘体光谱与金属光谱的主要不同之处，它标志着低能透明区与高能强吸收区之间的边界。基本吸收边由能量带隙（晶体的导带底和价带顶的能量差－禁带宽度）决定.

定义

当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由移动的自由电子。同时，在价带中留下一个自由空穴，产生电子—空穴对的现象称为本征吸收。

产生条件：入射光的能量必须大于半导体的禁带宽度，这样才能使价带上的电子吸收足够的能量跃迁到导带低能级之上，即。即可以发生本征吸收的的光波波长小于等于

理想半导体在绝对零度时，价带是完全被电子占满的，因此价带内的电子不可能被激发到更高的能级。唯一可能的是吸收足够能量的光子使电子激发，越过禁带跃迁入空的导带，而在价带留下一个空穴，形成电子-空穴对。这种由于电子由带与带之间的跃迁所形成的吸收过程称为本征吸收。

要发生本征吸收，光子能量必须等于或大于禁带宽度Eg 。