（1）杂质原子占据基质原子的位置，称为排位式杂质缺陷。为了有目的地改善晶体的某种性能，常常有控制地在晶体中引进某类外来原子，形或替位式杂质，这在半导体的制备过程中是习以为常的，我们知道，锗、硅单晶体是由4价原子构成的半导体；在纯养的情况下，它们的半导电性质不灵敏。如果在高纯的锗、硅单晶体中有控制地持入微量的3价杂质或微量的5价杂质磷、铝等，例如在100000个硅原子中有1个硼原子，可以使硅的电导增加1000倍。
（2）杂质原子比如晶格间隙位置，称为填隙式杂质缺陷，在奥氏体酬中，碳原子进入
面心立方结构铁晶体的填隙位置，是典型的填取杂质缺陷、通常，相对原子半径较小的杂质原子常以填察方式出现在晶体之中。