李晋闽，男，中国科学院半导体研究所研究员、博导。
教育背景
1982年在
西安交通大学电子工程系半导体物理与器件专业获得工学学士学位；
1984年在信息产业部电子第十三研究所获得半导体材料与器件物理专业工学硕士学位；
1991年在中科院西安光学精密机械研究所获得光学专业理学博士学位，
工作简历
1995-06~现在, 中国科学院半导体研究所, 研究员
1993-08~1995-05,中国科学院半导体研究所, 副研究员
1991-05~1993-07,中国科学院半导体研究所, 博士后
1987-12~2001-05,中国科学院西安光机所, 博士
1984-01~1987-08,电子工业部第十三研究所, 助理工程师
1991年进入中国科学院半导体研究所从事博士后研究工作；
1993任中国科学院半导体研究所副研究员；
1995年被中国科学院破格晋升为研究员，同年被评为享受政府特殊津贴专家；
1995至2002年，任中国科学院半导体研究所所长助理，所学术委员会委员，材料科学中心主任；
2000年至2002年作为高级访问学者在美国加州大学洛杉矶分校电机工程系从事研究工作；
2002年至2011年任中国科学院半导体研究所所长。现任中国科学院半导体照明研发中心主任。
2022年9月，任中北大学半导体与物理学院院长。
社会兼职
2004-09-29-今,国家半导体照明工程研发及产业联盟, 执行主席
英文论著
Wang-JX ,Sun-DZ ,Wang-XL, Li-JM ,Zeng-YP, Hou-X, Lin-LY, High-Quality GaN Grown by Gas-Source MBE JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 386-389,2001.
Sun-GS ,Li-JM, Luo-MC ,Zhu-SR, Wang-L, Zhang-FF, Lin-LY, Epitaxial-Growth of SiC on Complex Substrates JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 811-815,2001.
Li-JM, Sun-GS, Zhu-SR, Wang-L, Luo-MC ,Zhang-FF, Lin-LY, Homoepitaxial Growth and Device Characteristics of SiC on Si-Face-(0001) 6H-SiC JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 816-819 ,2001.
Gao-F, Huang-DD ,Li-JP ,Kong-MY, Sun-DZ, Li-JM ,Zeng-YP, Lin-LY, Growth of SiGe Heterojunction Bipolar-Transistor Using Si2H6 Gas and Ge Solid Sources Molecular-Beam Epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 223, Iss 4, pp 489-493,2001
Gao-F, Lin-YX, Huang-DD, Li-JP ,Sun-DZ ,Kong-MY, Zeng-YP ,Li-JM, Lin-LY, Effects of Annealing Time and Si Cap Layer Thickness on the Si/SiGe/Si Heterostructures Thermal-Stability JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2001, Vol 227, Iss JUL, pp 766-769,2001.
Gao-F, Huang-DD ,Li-JP, Lin-YX ,Kong-MY, Li-JM, Zeng-YP ,Lin-LY, The Growth of Si/SiGe/Si Structures for Heterojunction Bipolar-Transistor by Gas-Source Molecular-Beam Epitaxy JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2000, Vol 220, Iss 4, pp 457-460,2001.
中文论著
场助半导体光电阴极理论与实验，科学出版社 1993年
奖励荣誉
（1） 何梁何利基金2020年度科学与技术创新奖, , 其他, 2020
（2） 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化, 一等奖, 国家级, 2019
（3） 山西省科技创新特殊贡献奖, 省级, 2019
（4） 2017年中国产学研合作突出贡献奖（共10名）, , 其他, 2017
（5） 氮化镓基紫外与深紫外LED关键技术, 二等奖, 国家级, 2015
（6） 低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料外延及芯片技术, 二等奖, 国家级, 2014
（7） 高功率全固态激光器关键技术及应用研究, 二等奖, 省级, 2014
（8） 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法, 部委级, 2014
（9） 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术, 一等奖, 省级, 2012
2021年8月1日，入选2021年中国科学院院士增选初步候选人名单（信息技术科学部）。
专利成果
（ 1 ） 一种制备小间距LED全彩显示阵列的方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410730418.8
（ 2 ） 硅衬底及其制备方法, 2017, 第 3 作者, 专利号: 201510266643.5
（ 3 ） LED倒装基板的结构, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201621273609.7
（ 4 ） 一种倒装结构发光二极管及其制作方法, 2017, 第 4 作者, 专利号: 201410658854.9
（ 5 ） 一种紫外发光二极管器件的制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201410183522.X
（ 6 ） 低热阻LED封装结构及封装方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201310067793.4
（ 7 ） 柔性发光器件阵列及其制作方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 201510016315.X
（ 8 ） Packaging structure of light emitting diode and method of manufacture the same, 2016, 第 1 作者, 专利号: US 9,246,052 B2
（ 9 ） Fabrication Method of GaN Power LEDs with Electrodes Formed by Composite Optical Coatings, 2011, 第 1 作者, 专利号: US 7,704,764 B2
（ 10 ） Method for Manufacturing a GaN Based LED of a Black Hole Structure, 2008, 第 1 作者, 专利号: US 7,285,431 B2