杨玉超，男，博士，
北京大学长聘教授，国家杰青，国家重点研发计划青年项目首席科学家。
人物经历
姓名：杨玉超
工作单位：北京大学
职称：研究员
研究所：微纳电子学研究院
研究领域：类脑计算、智能硬件、忆阻器
2013–2015，高级研究员，密歇根大学安娜堡分校
2021–2022，研究员/长聘副教授、博士生导师，北京大学
2022–今， 长聘教授、博士生导师，北京大学，国家杰青，人工智能研究院类脑智能芯片研究中心主任
研究简介
长期从事忆阻器、类脑计算、存算一体芯片等研究，累计发表Nature Electronics、Nature Reviews Materials、Nature Nanotechnology、Nature Communications、Science Advances、IEDM等期刊和会议论文130余篇。累计被引8400余次，H因子为41，2篇入选TOP 0.1% ESI热点论文，11篇入选TOP 1% ESI高被引论文，5篇入选期刊封面/内封面，受邀撰写中英文专著5章。曾40余次受邀在国际学术会议上做主旨、特邀报告，作为程序委员会主席和召集人组织了IEEE未来计算国际研讨会（IWOFC）等多次国际会议。主持重点研发计划、国家杰青、基金委重点项目、霍英东教育基金会青年教师基金等项目，任中青科协信息与电子专业委员会副秘书长、中国电子学会青年工作委员会委员、IEEE未来计算国际研讨会TPC主席、EDTM 2021、EDTM 2022 Subcommittee主席、《APL Machine Learning》副主编、《Microelectronic Engineering》副主编、《Nano Select》副主编、《National Science Review》编委、《Chip》编委、《中国科学：信息科学》青年编委、《电子学报》青年编委、《集成电路产业系列丛书》编委、《Advanced Intelligent Systems》等6本期刊客座编辑。获首届科学探索奖、求是杰出青年学者奖、Wiley青年研究者奖、《麻省理工科技评论》中国区35岁以下科技创新35人等奖项，入选2020、2021、2022年全球前2%顶尖科学家榜单、2020年与2021年爱思唯尔“中国高被引学者”。
研究方向
（1） 基于大生产平台的忆阻器规模化集成技术与忆阻原理研究
（2）大算力、高能效存算一体化智能芯片
（3）基于忆阻器动力学的高阶复杂度类脑器件与智能系统
研究成果概况
累计发表Nature Reviews Materials、Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances、IEDM等期刊和会议论文120余篇，SCI引用5600余次，H因子为33。累计2篇入选TOP 0.1% ESI热点论文，11篇入选TOP 1% ESI高被引论文，3篇入选期刊封面/内封面，受邀撰写中英文专著5章，获13项国家发明专利授权，研究工作入选北京智源人工智能研究院发布的“2020年世界十大AI进展”，并被Advanced Science News、Materials Views、nanotechweb.org、X-MOL、RSC中国等几十家网站重点报道。
所获荣誉
2022 全球前2%顶尖科学家“年度科学影响力”榜单
2022 Wiley威立中国开放科学高贡献作者
2021 全球前2%顶尖科学家榜单
2021 2021年爱思唯尔“中国高被引学者”
2021 中国科学：信息科学突出贡献编委
2020 全球前2%顶尖科学家榜单
2020 2020年爱思唯尔“中国高被引学者”
2020 国家重点研发计划项目执行优秀团队
2020 霍英东教育基金会青年教师基金
2019 科学探索奖
2019 Wiley Young Researcher Award
2018 麻省理工科技评论中国区35岁以下科技创新35人
2017 求是杰出青年学者奖
2023年11月，北京市杰出青年中关村奖。
主要论文
Jiadi Zhu,# Teng Zhang,# Yuchao Yang,* and Ru Huang,* A Comprehensive Review on Emerging Artificial Neuromorphic Devices. Applied Physics Reviews, accepted. (Invited review)
Jingxian Li, Yuchao Yang,* Minghui Yin, Xinhao Sun, Lidong Li,* and Ru Huang,* Electrochemical and thermodynamic processes of metal nanoclusters enabled biorealistic synapses and leaky-integrate-and-fire neurons. Materials Horizons, DOI: 10.1039/C9MH01206K, 2019. (Front cover)
Yuchao Yang* and Ru Huang, Probing memristive switching in nanoionic devices. Nature Electronics, 1, 274–287 (2018). (Editor Picks)
Jiadi Zhu, Yuchao Yang*, Rundong Jia, Zhongxin Liang, Wen Zhu, Zia Ur Rehman, Lin Bao, Xiaoxian Zhang, Yimao Cai, Li Song & Ru Huang, Ion Gated Synaptic Transistors Based on 2D van der Waals Crystals with Tunable Diffusive Dynamics. Advanced Materials, 30, 1800195, 2018.
Yuchao Yang*, Xiaoxian Zhang, Liang Qin, Qibin Zeng, Xiaohui Qiu* & Ru Huang*, Probing Nanoscale Oxygen Ion Motion in Memristive Systems. Nature Communications 8, 15173 (2017).
Y. Yang, P. Gao, L. Li, X. Pan, S. Tappertzhofen, S. Choi, R. Waser, I. Valov, and W. D. Lu, Electrochemical dynamics of nanoscale metallic inclusions in dielectrics. Nature Communications 5, 4232 (2014).
Y. Yang, P. Gao, S. Gaba, T. Chang, X. Pan, and W. Lu, Observation of Conducting Filament Growth in Nanoscale Resistive Memories. Nature Communications 3, 732 (2012).
Y. C. Yang, F. Pan, Q. Liu, M. Liu, and F. Zeng, Fully room-temperature-fabricated nonvolatile resistive memory for ultrafast and high-density memory application. Nano Letters 9, 1636 (2009).
Y. Yang, S. Choi, and W. Lu, Oxide Heterostructure Resistive Memory. Nano Letters 13, 2908 (2013).
Y. Yang, B. Chen, and W. D. Lu, Memristive Physically Evolving Networks Enabling Emulation of Heterosynaptic Plasticity. Advanced Materials 27, 7720-7727 (2015).
Y. Yang, J. Lee, S. Lee, C.-H. Liu, Z. Zhong, and W. Lu, Oxide Resistive Memory with Functionalized Graphene as Built-in Selector Element. Advanced Materials 26, 3693 (2014).
Book Chapters
Yuchao Yang*, Ke Yang and Ru Huang*, “Neuromorphic Devices and Networks Based on Memristors with Ionic Dynamics”, in Handbook of Memristor Networks, Georgios Sirakoulis, Andrew Adamatzky and Leon O. Chua (eds.), Springer, 2018.
Y. Yang, T. Chang and W. Lu, “Memristive Devices: Switching Effects, Modeling, and Applications” in Memristors and Memristive Systems, R. Tetzlaff (ed.), Springer, 2014.
Y. Yang, W. Lu, “Resistive-Random Access Memory Based on Amorphous Films”, in Nonvolatile Memories: Materials, Devices, and Applications, T. Y. Tseng and S. M. Sze (eds.), American Scientific Publishers, 2012.
杨玉超，
吴南健，马德，黄如，“类脑计算芯片”，《中国人工智能2.0发展战略研究》，
浙江大学出版社，2018。
吴旭磊、党丙杰、吴秀龙、杨玉超，“基于动态忆阻器时间表面神经元的音频事件信号时空特征提取”，《科学·进展》（DOI: 10.1126/sciadv.adl2767）。
学术服务
40余种同行评议类学术期刊包括Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances、Advanced Materials、Nano Letters、Advanced Functional Materials等审稿人。
研究领域
面向类脑智能的忆阻神经形态器件。
荣誉奖项
2021 全球前2%顶尖科学家榜单
2020 国家重点研发计划项目执行优秀团队
2019 霍英东教育基金会青年教师基金
2019 科学探索奖
2019 Wiley Young Researcher Award
2018 麻省理工科技评论中国区35岁以下科技创新35人
2017 求是杰出青年学者奖
编辑编委
- Microelectronic Engineering | Elsevier 副主编
- Nano Select | Wiley 副主编
-《国家科学评论》（National Science Review, NSR）学科编委
-《电子学报》| Chinese Journal of Electronics青年编委
-《Chip》编委
-《Scientific Reports》编委
-《中国科学：信息科学》青年编委
-《Journal of Semiconductors》客座编辑- Special Issue on Advanced Technology in the More-than-Moore Era
-《SCIENCE CHINA Information Sciences》客座编辑 - Special Focus on Memristive Devices and Neuromorphic Computing
-《集成电路产业系列丛书》编委