梁骏吾（1933年9月18日—2022年6月23日），出生于湖北省武汉市，中国工程院院士，中国科学院半导体研究所研究员、博士生导师，我国著名半导体材料学家、我国早期半导体硅材料的奠基人。

1933年9月18日，梁骏吾出生于湖北省武汉市。

1951年—1955年，就读于武汉大学物理专业，毕业并获得学士学位。

1956年—1960年，就读于前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所，毕业并获得副博士学位。

1960年—1969年，担任中国科学院半导体研究所副室主任、助理研究员。

1970年—1978年，担任湖北宜昌半导体厂助理研究员。

1978年，晋升为中国科学院半导体研究所研究员。

1997年，当选为中国工程院院士。

2014年10月，梁骏吾与宜昌南玻硅材料有限公司签约，并在宜昌南玻会议室举行院士专家工作站授牌签约仪式。

2022年6月23日，半导体材料专家、中国工程院院士、中国科学院半导体所研究员梁骏吾，因病医治无效在北京逝世，享年89岁。

梁骏吾负责国家十二年科技规划中的高纯硅研制，得到电阻率为15×104ohm-cm的硅单晶，是当时国际上最好结果之一，获1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖。研制的硅无坩埚区熔提纯设备获1964年国家科委全国新产品二等奖。1964—1965年负责组建GaAs液相外延研究。1965年首次研制成功中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料。1966—1969年负责156工程中集成电路用硅外延材料任务。解决了连续生长硅高掺杂外延层、SiO2介质层、多晶硅层的工艺技术。为中国第一代介质隔离集成电路提供了外延材料。在4K位和16K位DRAM研制中，成功制备大规模集成电路用无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧含量的高质量直拉硅单晶。该两项研究分别获中科院1979年及1980年重大成果一等奖。20世纪80年代首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获1988年中科院科技进步一等奖。完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。完成了MOCVD生长 GaAlAs/GaAs 量子阱超晶格材料‘863’任务，突破了中国多年来未能生长低阈值的量子阱激光器材料的局面。他还从事光伏电池材料和器件工作。

截至2014年10月，梁骏吾先后获得国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次，以及其它国家部级奖励多次。

梁骏吾希望年轻的科研工作者一定要脚踏实地，从基础工作做起，不要受社会环境影响，要坚持自己的方向，埋头苦干，成果就会逐步显现。

2008年5月10日，在中国科学院研究生院建校30周年庆祝大会上，梁骏吾被授予“中国科学院研究生院杰出贡献教师”称号。

梁骏吾与夫人闻瑞梅都是武汉人，大学同窗相识相恋，上学时两家仅一条马路之隔，一起上学，一起回家。大学快毕业时，两人才正式确立恋爱关系。此后，两人又成为中国科学院半导体所的同事，合作发表过一些学术论文。

梁骏吾作为从事硅材料研究的元老级专家，被认为是中国半导体材料领域内一位“真正的大侠”，其威望自然举足轻重。（《中国科学报》评）

梁骏吾在科研工作中硕果累累，在半导体材料研究领域具有重要影响力。（哈尔滨工业大学评）