温差电现象
温差而引起电动势以及由电流而引起吸热和放热的现象
温差电现象(thermoelectric phenomena)是由温差而引起电动势以及由电流而引起吸热放热的现象。又称热电现象。它包括塞贝克、珀耳帖及汤姆孙等三个效应
温差电效应
温差电效应研究是一门古老而又年轻的学科,它很好的将温度差异和电压的产生两者联系起来,被广泛应用于高温测量、温差发电等领域。构成温差电技术的基础有三个基本效应:塞贝克效应、珀尔帖效应和汤姆逊效应。早在1821年,德国科学家塞贝克就发现了温差电的第一个效应,所以,人们称之为塞贝克效应——将两种不同的金属连接,构成一个闭合回路,如果两个接头处存在温差,回路中便产生电流。该效应便成了温差发电的技术基础。1834年法国科学家珀尔帖发现电致冷所依赖的珀尔帖效应,它是塞贝克效应的逆效应——将两种不同的金属连接,构成一个闭合回路,如果回路中存在直流电流,两个接头之间便会产生温差。而第三个效应——汤姆逊效应,是汤姆逊在1856年发现的。
塞贝克效应
将两个不同导体(或半导体)两端相连,组成一回路,当两个接头处在不同温度时,在回路中有电动势产生的现象。1821年由德国物理学家T.塞贝克发现。这电动势称为温差电动势。单位温度差所产生的电动势称为温差电动势率:
α12=ε/ΔT
式中ε为温差电动势,ΔT为两个接头的温度差。温差电动势率的数值决定于两种连接材料的性质,它可表示成:
α12=α1-α2
式中α1、α2为只与材料有关的参量,称为材料1和材料2的绝对温差电动势率。半导体的绝对温差电动势率约比金属的大1,000倍。温差电动势率也与温度有关,随着温度的上升稍有下降。金属的塞贝克效应常被应用于测量温度,而半导体的塞贝克效应常可被用来将热能直接转化成电能,即制成半导体温差发电器
珀耳帖效应
当有电流通过由两种不同材料组成的回路时,在两种材料的接头处会发生吸热或放热的现象。1834年由法国物理学家J.珀耳帖发现。若由导体1到导体2流过接头的电流为I,接头处单位时间内吸收或放出热量为Q,则有:
Q=Π12I
式中Π12称为珀耳帖系数,正时表示吸热,负时表示放热。珀耳帖效应是可逆现象,当电流反向时,原来在接头处吸热的变为放热,原来放热的变为吸热,即:
Π12=-Π21
珀耳帖系数与两种连接材料的性质及接头处的温度有关,亦可表示成:
Π12=Π1-Π2
这里Π1、Π2只与材料的性质有关,它们与材料1及材料2的绝对温差电动势率α1、α2成正比:
Π1=α1T
Π2=α2T
式中T为接头处的绝对温度。由此可见,半导体的珀耳帖系数也比金属大得多。利用半导体的珀耳帖效应可制造致冷机。在制作温差发电机及致冷机时,为了提高效率必须选择绝对温差电动势率高,而热导率电阻率低的材料,常采用一综合参量——优值Z来衡量材料的优劣:
Z=α2/μρ
式中μ及ρ分别表示热导率及电阻率。半导体Bi2Te3被认为是一种重要的温差电材料,它的绝对温差电动势率α约为2×10伏/开,μ=1.5瓦/(米·开),ρ=10-5欧·米,可得Z≈2.7×10-3/开。
汤姆孙效应
当有电流流过存在温度梯度的导体(或半导体)时,除焦耳热外,还会产生附加的吸热或放热的现象。1856年由英国物理学家W.汤姆孙发现,称为汤姆孙效应。单位时间单位体积所吸收或放出的热量可表示为:
Q=σjΔT/Δx
式中j为流过导体的电流密度,ΔT为导体两端的温度差,Δx为导体的长度。σ称为汤姆孙系数。汤姆孙效应是可逆的热效应,当电流反向时吸热的变成放热。σ的大小及符号决定于材料的性质与温度,它与材料的绝对温差电动率有下面的关系:
α=∫0TσdT/T
上式提供了一种测量绝对温差电动势率的方法。
参考资料
最新修订时间:2022-08-25 17:17
目录
概述
温差电效应
塞贝克效应
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