溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。人们开发出了溅射速率较高的射频溅射、三极溅射和磁控溅射技术。

射频溅射是采用频率为13.56MHZ的高频交变电场使气体放电产生等离子体。对于绝缘靶材射频溅射最具优势。1966 年美国BM 公司采用射频溅射在Si 衬底上镀制SiO2 膜。

极溅射是利用热丝弧光放电增强辉光放电产生等离子体，但三极溅射难以实现大面积均匀镀膜，工业上未获得广泛应用。

提高溅射镀膜的速率，关键是提高靶材的溅射率，这就必须提高等离子体的电离度，即在相同的放电功率下，获得更多的离子，从离子轰击靶面的溅射产物看，除了击出原子或分子外，还击出二次电子，这些电子被电场加速后与气体原子或分子发生碰撞又引起气体电离。充分利用二次电子的能量是提高等离子体电离度的有效途径。

磁控溅射是在阴极靶面建立跑道磁场，利用其控制二次电子运动，延长其在靶面附近的停留，增加与气体的碰撞几率，从而提高等离子体密度。这样可以大大提高靶材的溅射速率，最终提高沉积速率。

磁控溅射相对其他溅射技术有较高的镀膜速率，一般二极溅射和射频溅射的镀膜速率为20~ 250nm/min，三极溅射为50~ 500nm/min,磁控溅射可高达200~2000nm/min。20世纪70年代磁控溅射镀膜已实现工业化。80 年代我国的磁控溅射技术有较大发展，90 年代已可以提供大型磁控溅射装置并规模生产镀膜制品。

当今，磁控溅射已成为镀膜主流技术之一。人们仍一直致力于提高磁控溅射技术的效率，开拓它的应用范围。