王文武，男，研究员，毕业于兰州大学，现任中国科学院重大科技任务局副局长。
人物经历
1992.09--1997.06 兰州大学物理系金属物理专业本科学习
1997.07--1998.08 研究所科研工作
1998.09--2002.10 兰州大学凝聚态物理专业硕博连读研究生
2002.10--2003.04 日本东京大学进行学术研究
2003.04--2006.04 日本东京大学材料工程专业博士研究生
2006.04--2006.07 日本东京大学工学院工作
2006.07--2008.04 日本产业技术综合研究所工作
2008.04--2008.08 中科院微电子研究所副研究员
2008.08--2011.01 中科院微电子研究所研究员
2011.01--2015.01 中科院微电子研究所科技处处长、研究员
2015.01--2017.10 中科院微电子研究所所长助理、科技处处长、研究员
2017.10--2020.07 中科院微电子研究所所长助理、集成电路先导工艺研发中心 主任、研究员
2020.07--2022.10 中科院微电子研究所副所长、研究员
2022.10-- 中科院重大科技任务局副局长
研究方向
集成电路先进工艺与器件技术
所获荣誉
2007年获日本半导体MIRAI项目优秀奖
2008年获日本半导体MIRAI项目最优秀奖
2014年获中国科学院杰出科技成就奖（集体奖）
2017年获北京市科学技术奖一等奖
2018年获得国务院政府特殊津贴
2019年获中国电子信息科技创新团队奖
社会任职
2016.12，集成电路测试仪器与装备产业技术创新联盟秘书长
科研项目
作为项目（课题）负责人和技术骨干参与了十余项国家及省部级科研项目，包括国家科技重大专项、863计划项目、国家自然科学基金重点项目、重大仪器专项项目和面上项目等。另外，已发表学术文章200余篇，申请发明专利160余项。
1．国家02科技重大专项：“22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设”（批准号：2009ZX02035），课题负责人，已结题；
2．国家02科技重大专项：“16-14nm基础技术研究”(批准号：2013ZX02303)，技术骨干，已结题；
3．国家02科技重大专项：“32-22nm栅刻蚀机产品研发及产业化”，（批准号：2011ZX02101），课题负责人，已结题；
4．国家02科技重大专项：“20-14nm产品工艺开发”（批准号：2014ZX02301），子课题负责人，在研；
5．国家02科技重大专项：“7-5nm集成电路先导工艺与系统集成新技术”（批准号：2017ZX02315），课题负责人，在研；
6．863计划项目：“14nm以下技术代硅基新器件及工艺技术研究”（批准号：2015AA016501），课题负责人，已结题；
7．国家自然基金重大仪器专项：“新型GaN电子器件低界面态介质生长系统”（批准号：61527816），项目负责人，在研；
8．国家自然科学基金重点项目：“铪基金属氧化物高k栅介质的基础研究”（批准号：50932001），课题负责人，已结题；
9．国家自然科学基金面上项目：“基于臭氧技术的Ge基高介电常数栅介质MOS器件的基础研究：界面特性、栅电荷分布及起源、迁移率散射机制”，（批准号：61574168），项目负责人，已结题；
10．国家自然科学基金面上项目：“高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的界面特性与有效功函数控制技术的基础研究”，（批准号：61176091），项目负责人，已结题；
11．教育部留学人员回国启动基金：“纳米尺度CMOS器件金属栅极的制备和高k/金属栅集成与阈值电压控制技术”，项目负责人，已结题；
12．中科院C类战略性先导预研项目：“3-1nm集成电路新器件与先导工艺”（批准号：XDAY0701），项目负责人，在研。