电子薄膜与集成器件国家重点实验室以
电子科技大学为依托，于2006年7月经科技部批准建设，2008年10月通过科技部验收并正式开放运行。实验室紧密结合电子信息系统微小型化和单片集成的重大需求，重点围绕电子功能材料的薄膜化和电子器件的集成化开展基础、应用基础与工程应用的研究。2012年及2017年在科技部组织的国家重点实验室评估中被评为优秀类实验室。
实验室紧密围绕国家IT领域的战略目标，立足于电子信息材料与器件的发展前沿，坚持需求与发展并举、理论与实践并重，致力于新型电子薄膜材料与集成电子器件的研究和开发，促进材料——器件——
微电子技术的交叉和集成，形成了三个重点研究方向：
实验室现有研究人员80人，管理人员4人，辅助人员2人；客座研究人员16人。在固定研究人员中已形成以陈星弼院士为带头人的一支以40岁左右为核心、30岁左右为主力的骨干研究队伍。队伍中包括了中科院院士1人，中国工程院院士1人，国家杰出青年基金获得者3人，国家自然基金委创新团队1个，国家级奖评委5人，教育部跨（新）世纪人才10人，部级专家组成员3人，四川省杰出创新人才奖3人，四川省学术和技术带头人6人，四川省有突出贡献专家4人，博导26人。现有研究队伍中，90%具有博士、硕士学位，50%有海外经历，45岁以下的中青年技术骨干占85%。
实验室拥有1个国家重点学科、5个博士点以及5个硕士点，已具备每年250名左右硕士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培养规模。2002年以来，共为国家培养硕士生1300名，博士生40名，博士后10名，为改善和提高我国电子薄膜与集成器件究水平提供了人才保障。实验室共承担国家/省部级项目200余项，国拨纵向经费1.3亿元。2002年-2009年，实验室共获得国家奖7项，省部一等奖7项、二等奖14项、三等奖16项，获得发明专利授权80项，其中美国发明专利4项，发表论文1200余篇，其中在APL、JAP、PRB、IEEE等国外刊物上发表500余篇，发行著作7本，有40项成果被采用，直接经济效益5亿元。
实验室充分利用国家“211工程”/“
985工程”建设经费、学校自筹学科建设经费等，集中资金重点建设了四个研究平台（“材料与器件制造工艺平台”、“微细加工平台”、“电磁性能测试与微结构表征平台”和“集成电路设计平台”），同时，为满足具体研究方向和研究内容的需要，实验室科研人员经过与设备厂家的深入讨论，采用部分部件改进、部分功能调整、软件升级等多种形式对本实验室的MOCVD系统、脉冲激光溅射沉积设备、四靶三英寸超导镀膜沉积装置、熔体快淬纤维/薄带炉、旋转式真空晶化炉、球型真空室、熔体转轮超速急冷炉、高真空磁控与离子束溅射镀膜系统、AFM等大型设备进行了改进，以上设备改进后，使用率上升，保障了实验室科研项目高质量的完成，有力地推动了实验室环境、科研设备等基础条件的改善，使器件设计、材料制备、测试和分析的实验条件达到国际先进水平。实验室拥有各种仪器设备700余台套，总价值8000余万元。
长期以来，实验室将所涉及的方向和研究内容与国内外著名大学和研究机构开展了实质性的对口合作与交流，每年大约30多位海内外专家被邀请到实验室进行学术交流，大约20多人次实验室骨干出国访问和参加国际性学术会议（包括约8人次的邀请报告），同时，为开拓新的方向，每年吸引和充实4-5名国外留学人员回国工作。通过合作交流，促进了本实验室相关项目的研究和开发，以及相关研究成果向IT产业部门和相关企业的转移。
奋斗不息，耕耘不止。在实验室今后的发展中，我们将继续把握电子材料与元器件领域研究的内涵，立足于电子信息材料与新型电子器件的发展前沿，加强在介电、磁性、半导体方向上的集成创新，力争基础研究国际化、应用研究核心化。我们将继续加强科研平台建设，为做强做实一流实验室奠定坚实的软硬件基础。我们将继续加强人才队伍建设，以先进的研究基地吸引人才，以优秀的研究团队凝聚人才，以优势科研项目历练人才，促进实验室人才结构的良性发展，把实验室建设成为具有国际竞争力的一流电子薄膜与集成器件人才培养基地。