砷化镓外延片_用于商品化器件的产品

砷化镓外延片

用于商品化器件的产品

GaAs epitaxial wafer，在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等。

工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于量子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。

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最新修订时间：2024-10-27 00:40

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