砷化镓激光器具有近红外高重复频率和峰值功率较高的特点。和所有
半导体激光器一样还具有体积小，耗能少和寿命长的优点 。
它具有近红外高重复频率和峰值功率较高的特点。和所有
半导体激光器一样还具有体积小，耗能少和寿命长的优点 。可用于光信息传输和信息处理，以及激光测距等
用半导体材料作为激光工作物质的激光器称为
半导体激光器，P－N结电注入型半导体激光器又称为激光二级管(Diode),或LD。半导体材料可以是两元、三元或多元化合物，其结构可以是同质结或单异质结(SHL),双异质结(DHL)等，还可以将单管LD组成阵列式(array)或层叠式(stack)以增大输出。激励方式除P－N结电注入外，还有电子束激励，光激励和雪崩击穿等方式。通常仅指明工作物质的元素，来区分不同的半导体激光器