用途:单晶硅具有基本完整的
点阵结构的晶体,多晶硅,是单质硅的一种形态。单晶硅具有
金刚石晶格,晶体硬而脆,具有金属光泽,能导电,但导电率不及金属,且随着温度升高而增加,具有半导体性质。单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第ЩA族元素,形成P型半导体,掺入微量的第VA族元素,形成N型,N型和P型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。
单晶硅是制造半导体硅器件的原料,用于制
大功率整流器、
大功率晶体管、二极管、开关器件等。在开发能源方面是一种很有前途的材料。
单晶硅按晶体生长方法的不同,分为直拉法(CZ)、区熔法(FZ)和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材,外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于
半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。
(polycrystalline silicon)有灰色
金属光泽,
密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。
沸点2355℃。溶于
氢氟酸和
硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和
盐酸。硬度介于
锗和
石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形。常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用。具有
半导体性质,是极为重要的优良
半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造
半导体收音机、
录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得。
多晶硅可作拉制
单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要在物理性质方面。例如,在力学性质、光学性质和热学性质的
各向异性方面,远不如单晶硅明显;在
电学性质方面,多晶硅
晶体的
导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有
导电性。在化学活性方面,两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和
电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代
人工智能、
自动控制、
信息处理、
光电转换等半导体器件的
电子信息基础材料。
2022年11月,德国科学家首次将拥有特殊光学特性的
铒原子集成到硅晶体内,这些原子可通过通信领域常用的光连接起来,使其成为未来量子网络的理想构建块。科学家展示了一种利用嵌入硅晶体内的原子构建量子网络的可行方法。