硅锗合金是由硅和锗两种元素构成的合金。结构式Si1－xGex，x=0～1。硅和锗同为第14族元素并都是非常重要的硅基微电子材料，其晶态结构都是金刚石结构，都具有间接带隙，所不同的是晶胞参数和能带结构，以及一些本征性能。可构成任何组分的均匀固熔体。硅和锗的晶格失配度为4.18%，在硅上外延硅-锗合金会引进应变，晶格弛豫后会引进位错，故常采用组分递变的方法来改善晶体质量。是一种间接带隙半导体材料，0≤x≤0.85时为类硅材料，0.85≤x≤1时为类锗材料。禁带宽度在0.74～1.15电子伏间变化，折射率在3.55～4.13间变化。