磁敏电阻器是电阻值随
磁感应强度而变化的磁敏元件，它的作用是精确地测试出磁场的相对位移，原理是阻值随磁场的变化而变化，特点是磁检测灵敏度高，构成材料为
锑化铟（InSb）或神化铟（InAs，参数是磁阻灵敏度，磁阻比，磁阻系数）。
磁敏电阻器的阻值随磁场的变化而变化，利用磁敏电阻器阻值的变化，可精确地测试出
磁场的相对位移。电阻值随
磁感应强度而变化的磁敏元件。它利用磁阻效应制成的，其阻值会随穿过它的磁通量密度的变化而变化。利用此原理，可精确地测试出磁场的相对位移。
磁敏器结构：采用锑化铟（InSb）或神化铟（InAs）等材料，根据半导体的磁阻效应制成的。磁敏电阻器多采用片形膜式封装结构，有两端、三端（内部有两只串联的磁敏电阻）之分。
磁敏电阻器多采用锑化钢(InSb)半导体材料制造。它主要用于测定磁场强度、测量频率和功率等的测量技术，运算技术，自动控制技术以及
信息处理技术，并可用于制作无触点开关和可变元接触电位器等。
一般用于磁场强度、漏磁、制磁的检测；在交流变换器、频率变换器、功率电压变换器、位移电压变换器、等电路中作控制元件；还可用于接近开关、磁卡文字识别、
磁电编码器、电动机测速等方面或制作
磁敏传感器用。