纳米场效应晶体管(Nano-FET)

纳米场效应晶体管是指沟道长度为nm数量级的FET。实际上，也就是沟道的长度短到与沟道的厚度可相比拟时的场效应晶体管。

纳米场效应晶体管的特点就是不仅需要考虑载流子在垂直沟道方向的横向量子化，而且也需要考虑沿着沟道方向的纵向量子化，即是一个量子化的三维问题。则对于纳米场效应晶体管的性能分析，需要采用载流子波——量子波的概念来处理。通过计算沟道方向上量子波的分布和量子波的输运 ，可以求出源-漏输出电流以及相应的伏安特性。结果表明：纳米MOSFET仍然具有正常MOSFET那样的导电工作特性！这是由于多种量子限制所造成的。