超纯材料，用于制备半导体材料和半导体掺杂剂的纯净物质。超纯材料技术是伴随原子能工业和半导体工业发展而发展的，但在更广大程度上还是由半导体工业的发展所促进。早期的研究表明，用粗硒作整流器时，所能承受的反向电压只有12～18伏；采用经过提纯净化后的硒可达60伏；而用纯度≥99.999%的硒时，反向电压可达到130伏。

可见半导体材料纯度对其性能好坏有很大影响。20世纪30～40年代，固体量子理论的发展，对杂质在半导体中的作用有了更深入的了解，这就进一步促进了超纯材料技术的发展。

提纯方法

材料的提纯方法很多，大体上可以归结为两类。

①化学提纯法。利用化学中的化合、分解和还原等反应，减少原始材料中的杂质含量，提高材料纯度的一种工艺技术。其主要特点是，它不是直接提纯原始材料的本体，而是通过化学反应，先将原始材料转化成一种中间化合物（例如硅提纯中，先生成硅的卤化物或氢化物），然后对这些中间化合物进行化学提纯（分馏），再将高纯度的中间化合物还原或热分解，得到高纯度的材料（硅多晶）。

②物理提纯法。依据各种杂质在半导体中有不同的物理性质（如分凝系数等），采用物理手段（如区域熔化技术），直接对材料本体进行提纯。这种方法较化学提纯法的效率高，材料纯度一般可达99.999 999％～99.999 999 9％（通常表示为8N～9N）。半导体中应用的超纯材料很多，其中Ⅳ族元素超纯锗(9N)、硅(9N)等主要用于制备半导体锗和硅的单晶，锡(5N)和铅(4N)多用作掺杂剂或Ⅳ－Ⅵ族化合物的制备。高纯度的Ⅲ族元素硼(5N)、铝(6N5)、镓(8N)、铟(7N)和V族元素磷(7N)、砷(7N5)、锑(7N)等，主要用于制备Ⅲ－V族化合物半导体或多元固溶体材料的单晶和薄膜等。Ⅱ族元素铍(5N)、锌(4N)、镉(4N)、汞(6N)和Ⅵ族元素硫(4N)、硒(5N)、碲(6N)等，用于制备Ⅱ－Ⅵ族化合物。上述某些超纯材料，也可用作半导体的N型和P型掺杂剂。此外，半导体中应用的气体（如氧、氮等）、金属有机化合物源（如一些元素的烷基化合物）等，也都是超纯材料。