输入特性是指在晶体管输出端电压为常数时，输入端电压与电流函数关系所反映出来的特性。

特性

晶体管共射接法的输入特性曲线可表示为

对于一条特定的输入特性曲线，U(CE)为常数；对应不同的U(CE)，输入特性不同，故输入特性曲线是随U(CE)变化的曲线族。

U(CE)=0V情况

此时，晶体管集电极和发射极短接，晶体管相当于并联且正向偏置的两个二极管，其输入特性曲线与二极管伏安特性曲线一致。

U(CE)≥1V情况

对正向导通的硅管，死区电压U(BE(on))≈0.7V，当U(CE)=1V时，U(CB)=U(CE)-U(BE)=0.3V。集电结由正向偏置转化为反向偏置，它对由发射区经过基区到达集电结靠近基区一侧电子的吸引能力增强，电子在基区中的复合减少，本就极薄的基区宽度进一步减小，即产生基区宽度调制效应，故此时I(B)较U(CE)=0时减小，输入特性曲线右移。随着U(CE)进一步增大，I(B)进一步减小，输入特性曲线进一步右移，但变化已不显著，因此工程实用上常以U(CE)=1V时的输入特性曲线代替U(CE)＞1V时的输入特性曲线。