锑化铟的
CAS号是1312-41-0，
EINECS号是215-192-3。分子式是InSb，分子量是236.578。
Indiumantimonideblackxtl; Indium antimonide (99.99%-In) PURATREM; antimony; indium(+3) cation; stibanylidyneindium
锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb)
共价键结合，有一定
离子键成分。
立方晶系闪锌矿型结构，
晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为
直接带隙半导体，室温
禁带宽度0.18eV，
本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω·m，较纯晶体的
电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用
区域熔炼、
直拉法制备。用于制作
远红外光电探测器、
霍耳器件和
磁阻器件。
2024年8月15日，
商务部及
海关总署发布关于对锑等物项实施出口管制的公告。锑化铟未经许可，不得出口。