GaSb是一种Ⅲ -Ⅴ族化合物半导体材料, 对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs , InP 等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣, 这主要是光纤通信技术的发展, 对新器件的潜在需求而引起的。在光通信中为了减少传输中的损耗, 总是尽可能采用较长波长的光, 最早使用0 .8μm 波长的光, 使用1 .55 μm 波长的光。据估计下一代光纤通信将采用更长波长的光。研究表明某些非硅材料光纤在波长为(2 ～ 4)μm 的范围时传输损耗更小。在所有Ⅲ -Ⅴ族材料中,GaSb作为衬底材料引起了更多的注意, 因为它可以与各种Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配, 这些材料光谱的范围在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之间, 正好符合要求。另外, 利用GaSb基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8 ～ 14)μm 范围的探测器。
根据国家规定，《中华人民共和国出口管制法》《中华人民共和国对外贸易法》《中华人民共和国海关法》有关规定，为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制。有关事项公告如下：
一、满足以下特性的物项，锑化镓。包括但不限于多晶、单晶、晶片、
外延片、粉末、碎料等形态