门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层(氧化物)和基体(身体)之间的接口晶体管。

在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。 当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接受器离子。 在门电压的进一步增加最终造成电子出现于接口，在什么称逆温层，或者渠道。 电子密度在接口同一样孔密度在中立粒状材料称门限电压历史的门电压。 实际上门限电压是有足够的电子在做MOSFET来源之间的一个低抵抗举办的道路和排泄的逆温层的电压。

如果门电压在门限电压之下，晶体管被关闭，并且理想地没有潮流从流失到晶体管的来源。 实际上，有潮流甚而为门偏心在门限之下(次于最低限度的漏出)潮流，虽然它是小的并且随门偏心变化指数地。

如果门电压在门限电压之上，晶体管在渠道起动，由于那里是许多电子在氧化物硅接口，创造低抵抗渠道，潮流可能从流失流动到来源。 重大电压在门限之上，这个情况被要求强的反向。 渠道逐渐变细，当 vD ＞0 因为电压下落由于当前流动在抗拒渠道减少支持渠道的氧化物领域，当流失接近。