闫建昌，毕业于清华大学，中国科学院半导体研究所研究员，曾获得北京市科学技术奖一等奖。

2018-01~现在，中国科学院半导体研究所，研究员

2013-01~2017-12， 中国科学院半导体研究所，副研究员

2009-07~2012-12，中国科学院半导体研究所，助理研究员

2004-09~2009-07，中国科学院半导体研究所，工学博士

2000-09~2004-07，清华大学，学士学位

（1） 国家科学技术进步奖，二等奖，国家级，2015

（2） 北京市科学技术奖，一等奖，省级，2012

（1） Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 11 作者

（2） Deep ultraviolet lasing from AlGaN multiple-quantum-well structures, P hys. Status Solidi C, 2016, 第 1 作者

（3） 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates, Applied Physics Letters, 2013, 第 11 作者

（4） Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD, Physica Status Solidi C, 2012, 第 2 作者

（5） Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition, Physica Status Solidi C, 2011, 第 1 作者

（6） Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face III-nitride structure, Applied Physics Letters, 2010, 第 3 作者

（ 1 ） AlGaN基紫外激光二极管研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12

（ 2 ） 高铝组分氮化物材料制备技术研究, 参与, 国家级, 2014-01--2016-12

（ 3 ） 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 参与, 国家级, 2016-07--2021-06