随机存取内存，主要特性为可随时读出或写入数据，但电源一中断则所储存之数据即消失，主要用来暂存程序与数据。而RAM又可分成动态内存(Dynamic RAM， DRAM)与静态内存(Static RAM，SRAM)两种。DRAM的储存密度较高、成本低，但需加上更新电路，速度较慢。SRAM速度快，但储存密度低、成本高。一般计算机所称的主存储器容量即是指安装DRAM的容量，而置于CPU与主存储器之间的高速缓存(Cache Memory)则是使用连度较快的SRAM，但因成本高、故容量都不大。

所谓“随机存取”，指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）。

当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入

一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。

现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，取存延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。

现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制)，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。

正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。