高温制程是即使快速高温制程之工作温度范围与多晶硅及磊晶硅制程有部分重叠，其本质差异却极大。

多晶硅（poly）通常用来形容半导体晶体管之部分结构：至于在某些半导体组件上常见的磊晶硅（epi）则是长在均匀的晶圆结晶表面上的一层纯硅结晶。 多晶硅与磊晶硅两种薄膜的应用状况虽然不同，却都是在类似的制程反应室中经高温（600℃至1200℃）沉积而得。

即使快速高温制程之工作温度范围与多晶硅及磊晶硅制程有部分重叠，其本质差异却极大。RTP并不用来沈积薄膜，而是用来修正薄膜性质与制程结果。RTP将使晶圆历经极为短暂且精确控制高温处理过程，这个过程使晶圆温度在短短的10至20秒内可自室温升到1000℃。RTP通常用于回火制程（annealing），负责控制组件内掺质原子之均匀度。此外RTP也可用来硅化金属，及透过高温来产生含硅化之化合物与硅化钛等。最新的发展包括，使用快速高温制程设备在晶极重要的区域上，精确地沉积氧及氮薄膜。