龚海梅，1965年10月出生，江苏海门人，男，汉族，博士研究生，研究员，博士生导师。

1981-09--1986-07 中国科学技术大学 理学学士

1986-09--1989-07 中国科学院上海技术物理研究所 理学硕士

1989-09--1993-03 中国科学院上海技术物理研究所 理学博士

1993.4～1994.10,中国科学院上海技术物理研究所助研，课题组长，副主管设计师

1994.10～1997.9，中国科学院上海技术物理研究所副研究员，课题组长，主管设计师

1997～，中国科学院上海技术物理研究所研究员，室副主任，主任，副主任设计师

1998.11～2000.1，美国国家标准和技术研究院客座研究员

2004.10～，传感技术联合国家重点实验室副主任

2006.8～，红外成像材料与器件国防科技创新实验室副主任、组件技术研究室主任

2007.4～2008.8，中国科学院上海技术物理研究所所长助理

2008.8～2013.9，中国科学院上海技术物理研究所副所长

2013.9～2024.02，任中科院上海技术物理研究所党委书记

2015-06-05-今,上海市传感技术协会, 理事长

中国宇航学会光电技术专业委员会副主任委员

中国仪器仪表学会传感器分会理事

2024年2月20日，中共中国科学院党组经研究，决定：免去龚海梅同志上海技术物理研究所党委书记职务，保留正局级。

（ 1 ） InGaAs焦平面, 主持, 国家级, 2011-03--2015-12

（ 2 ） 高性能近红外InGaAs探测材料基础研究及其航天应用验证, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12

（1）高性能短波红外InGaAs探测器 上海市传感技术学会年会 2015-06-05

主要研究方向为我国气象卫星系列等空间多光谱多元探测组件技术、先进红外焦平面可靠性封装和试验技术、新型探测组件技术等。

主要从事航天红外新型探测组件及其抗辐射机理与可靠性技术、低温封装与可靠性方面研究。主持风云系列气象、海洋和环境等卫星及神舟三号飞船等多项国家重大型号工程项目航天遥感红外光电传感器的研制，同时承担国家973、中科院知识创新工程、国防科工委基础科研、总装预研、总装型谱等项目。曾任量子科学实验卫星系统副总指挥、探月工程所级指挥。

发表学术论文260余篇，申请和授权国家发明专利50多项。 荣获国务院“政府特殊津贴”、国防科技工业协作配套先进个人、中国科学院研究生院优秀教师等荣誉8项。

截止2021年7月，在读博士生5人，在读硕士生2人。已毕业博士生36人，已毕业硕士生28人。

国家自然科学和科技进步二等奖各1项

上海市科技进步一等奖5项、二等奖1项

中科院杰出贡献奖2项

中科院科技进步一等奖1项

国防科工委科技进步三等奖1项

（1） 嫦娥三号着陆避障激光三维敏感器技术, 国家级, 2014

（2） 航天红外焦平面研究集体, 国家级, 2014

（3） 星载宽光谱大气垂直探测关键技术（风云三号B星红外分光计）, 国家级, 2011

（4） 星载全覆盖复合分辨率光谱成像关键技术, 国家级, 2010

（5） 实践七号试验卫星多谱段相机, 国家级, 2007

（6） 碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究, 部委级, 2005

（7） 四波段红外焦平面集成组件, 国家级, 2003

（8） 碲镉汞红外焦平面光电子物理的应用基础研究, 国家级, 2003

（9） 红外分光计III型, 省级, 2002

（10） 碲镉汞材料和器件的研究, 部委级, 1998

（11） 180元碲镉汞长波红外探测器, 部委级, 1996

（12） 180元碲镉汞长波红外探测器, 国家级, 1995

（ 1 ） 一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: 200910049111.0

（ 2 ） 一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器, 发明, 2009, 第 4 作者, 专利号: 200910197301.7

（1） Effect of proton irradiation on extende wavelength In0.83Ga0.17As infrared detector, Infrared Physics & Technology, 2015, 通讯作者

（2） Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor, Infrared Physics & Technology, 2015, 通讯作者

（3） The simulation of localized surface plasmon and surface plasmon polariton in wire grid polarizer integrated on InP substrate for InGaAs sensor, AIP Advance, 2015, 通讯作者

（4） Anneal treatment to improve the performance of extended wavelength In0.83Ga0.17As photodetectors, Infrared Physics & Technology, 2015, 通讯作者

（5） Subwavelength Gold Grating as Polarizers Integrated with InP-Based InGaAs Sensors, ACS APPLIED MATERIALS&INTERFACES, 2015, 通讯作者

（6） Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at the lower temperature, Infrared Physics & Technology, 2014, 通讯作者

（7） Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes, Infrared Physics & Technology, 2014, 通讯作者

（8） The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiN passivation films fabricated by two different techniques, Infrared Physics & Technology, 2014, 通讯作者

（9） Life signal detection using an on-chip split-ring based solid state microwave sensor, Applied Physics Letters, 2014, 通讯作者

（10） Extended wavelength InGaAs infrared detector arrays based on three types of material structures grown by MBE, Proc. SPIE, 2014, 第 1 作者

（11） 近红外InGaAs探测器台面结构对器件性能的影响, 激光与红外, 2010, 通讯作者

（12） 延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究, 激光与红外, 2010, 通讯作者

（13） 红外焦平面器件温度循环可靠性研究, 红外与激光工程, 2010, 第 2 作者

（14） 不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应, 红外与毫米波学报, 2010, 通讯作者

（15） Suppression of extension of the photo-sensitive area for a planar-type front-illuminated InGaAs detector by the LBIC technique, Journal of Semiconductors, 2010, 通讯作者