Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一种，又称为 mDDR(Mobile DDR SDRAM),是美国JEDEC固态技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。

第二代低功耗内存技术LPDDR2的标准规范于2010年12月由JEDEC固态技术协会正式发布。

第三代低功耗内存技术LPDDR3的标准规范于2012年5月由JEDEC固态技术协会正式发布。

LPDDR3也一样支持PoP堆叠封装和独立封装，以满足不同类型移动设备的需要。LPDDR2的能效特性和信号界面都也得以延续。

除此之外，LPDDR3重点加入了新技术：

- Write-Leveling and CA Training(写入均衡与指令地址调驯)：可让内存控制器补偿信号偏差，确保内存运行于业内最快输入总线速度的同时，维持数据输入设定、指令与地址输入时序均满足需求。

- On Die Termination(片内终结器/ODT)：可选技术，为LPDDR3数据平面增加一个轻量级终结器，改进高速信号传输，并尽可能降低对功耗、系统操作和针脚计数的影响。

由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的两倍，新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。

与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的最低功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升，最大可节省40%的耗电量。同时，新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量，并使芯片能在低电压下进行高频率运转，实现了电源使用效率的最优化。

2019年2月20日，JEDEC(固态存储协会)正式发布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标准。

相较于2014年发布的第一代LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps)，直接翻番。

如果匹配高端智能机常见的64bit bus，每秒可以传送51.2GB数据;要是PC的128bit BUS，每秒破100GB无压力。

固态协会认为，LPDDR5有望对下一代便携电子设备(手机、平板)的性能产生巨大提升，为了实现这一改进，标准对LPDDR5体系结构进行了重新设计，转向最高16 Bank可编程和多时钟体系结构。

同时，还引入了数据复制(Data-Copy)和写X(Write-X)两个减少数据传输操作的命令来降低整体系统功耗，前者可以将单个阵脚的数据直接复制到其它针脚，后者则减少了SoC和RAM传递数据时的耗电。

另外，LPDDR5还引入了链路ECC纠错，信号电压250mV，Vddq/Vdd2电压还是1.1V。