PbSe（硒化铅）是一种具有立方结构窄禁带的
半导体材料，为灰色或灰黑色结晶粉末。
立方晶系结构，密度8.10g/cm3。熔点1065℃。溶于
硝酸和热
浓盐酸中，不溶于水。真空中由
铅和
硒直接反应，或用
氢还原
亚硒酸铅制取。用于制造
光敏电阻和
红外检测器等。
PbSe具有很多独特的物理性能，如介电常数高，
载流子迁移率高（室温下空穴迁移率约为300cm/（vs）），直接带隙窄（E0：:028 -0.41eV）,并具有电子导电性能，即具有
金属特性。这类
半导体都是从研究红外探测器发展起来的。由于这类材料禁带窄, 具有良好的光电导效应, 噪声低,对外界条件的影响反应比较灵敏,适用于制造敏感器件。
近几年，科学家已经在纳米晶PbSe、PbS、PbTe等材料中观察到了“多载流子效应”，俗称“雪崩效应”。利用PbSe等纳米半导体材料制作的太阳能电池最高理论转换效率可望达到44%。因此，PbSe纳米晶材料在太阳电池材料、光敏传感器材料、
光催化材料等方面具有广阔的基础研究及应用前景。