二次电子像
物质原子核外电子受到入射电子作用产生激发,以入射方向逸出样品
物质原子核外电子受到入射电子作用产生激发,
二次电子的特点
(1)能量小于50eV,在固体样品中的平均自由程只有10~100nm。在这样浅的表层里,入射电子与样品原子只发出有限次数的散射,因此基本上未向侧向扩散;
(2)二次电子的产额强烈依赖于入射束与试样表面法线间的夹角a , a大的面发射的二次电子多,反之则少。
二次电子成像
二次电子像主要是反映样品表面10nm左右的形貌特征,像的衬度是形貌衬度,衬度的形成主要取于样品表面相对于入射电子束的倾角。
如果样品表面光滑平整(无形貌特征),则不形成衬度;而对于表面有一定形貌的样品,其形貌可看成由许多不同倾斜程度的面构成的凸尖、台阶、凹坑等细节组成,这些细节的不同部位发射的二次电子数不同,从而产生衬度。
二次电子像分辨率高、无明显阴影效应、场深大、立体感强,是扫描电镜的主要成像方式(特别适用于粗糙样品表面的形貌观察),在材料及生命科学等领域有着广泛的应用。
参考资料
扫描电镜二次电子及背散射电子成像技术.中国科学院化学研究所:分析测试中心.2013-03-18
最新修订时间:2023-03-28 21:23
目录
概述
二次电子的特点
二次电子成像
参考资料