位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度，单位是1/平方厘米。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米。

在通常的晶体中都存在大量的位错，而这些位错的量就用位错密度来表示。位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米。

1.切割、研磨样品。

2.化学抛光：采用HF:HNO=1：（3~5)的抛光液。注意反应不要太剧烈，以避免样品氧化。最好不让晶体表面暴露于空气之中。

3. 化学腐蚀：一般HF:CrO3(33%)水溶液=1：1的腐蚀液，此腐蚀液具有择优性，且显示可靠。

4.在腐蚀液中侵泡10～15min可以全部显露出来。

5.在显微镜下观看位错的面密度（ND）

S——单晶截面积；N——穿过截面积S的位错线

金相显微镜视场面积的大小需依据晶体中位错密度的大小来选定。一般位错密度大时，放大倍数也应大些。国家标准（GB1554-79）中规定：位错密度在104个/cm2以下者，采用1mm2的视场面积；位错密度在104个/cm2以上者，采用0.2mm2的视场面积。并规定取距边缘2mm的区域内的最大密度作为出厂依据。

1对金属材料来说，位错密度对材料的韧性，强度等有影响。

2位错密度越大，材料强度越大，延性越不好。

3位错密度取决于材料变性率的大小。在高形变率荷载下，位错密度持续增大，因为高应变率下材料的动态回复与位错攀岩被限制，因而位错密度增大，材料强度增大，可以等同于降低材料温度。

1.由于位错是已滑移区和未滑移区的边界，所以位错线不能中止在品体内部，而只能中止在晶体的表面或晶界上。

2.在品体内部，位错线一定是封闭的，或者自身封闭成一个位错圈，或者构成三维位错网。

直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有 :

1.籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响 ;

2.温度梯度对位错密度的影响 ;

3.固液界面形状对位错密度的影响 ;

4.机械因素对位错密度的影响

通过 d a s h 技术排除籽晶中位错的影响 ; 通过调整晶体 所处的热场 ( 改变埚位和保温筒高度 ) 、 改变熔体中轴向负温度梯度的状况 ( 增加坩埚杆的保温效果和开双加热器 ) 和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热 场来减小温度梯度对位错密度的影响 ; 通过调整固液界面形 状 ( 改变拉速 、 埚 转和晶转 ) 来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象 。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排 、 位错堆以及小角晶界 , 得到低位错密度的单晶 。